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【神奈川】先端デバイス技術開発(新規メモリ・次世代メモリのセル設計、デバイス開発等)

NAND型フラッシュメモリで世界2位の企業 (社名非公開求人)

福利厚生充実!同ポジションの特徴はアットホームな雰囲気です!

募集要項

職務概要フラッシュメモリや、新規メモリの更なる高集積化実現のためのデバイス技術開発業務をご担当いただきます。フラッシュメモリ(3D製品を含む)、新規メモリ、またはメモリ周辺回路用デバイスについて下記いずれかをご担当いただきます。
・セル設計・デバイス設計
・ロット試作
・電気特性、信頼性の評価
採用背景同社が手がけるフラッシュメモリは、世界最先端の3Dプロセス技術を用いており、スマートフォンの普及加速・高性能化やIoTの進展を背景に需要が拡大。 今後、更なる増産投資、技術開発投資を行うことから、部門強化のため、大規模募集を行っています。
事業内容 同社は人々のくらしに欠かすことのできないスマートフォン・パソコンなどの電子機器や、データセンタなどの情報インフラに必要不可欠なNAND型フラッシュメモリ・SSDを中心に取り扱っています。同社は「人々のくらしを豊かにする」「社会の可能性を広げる」ことをミッションとして、日々メモリ技術の開拓に取り組んでいます。同社のメモリ製品は、IoTの進展を背景とした将来的なデータ急増に対応するために必要な構成要素となっています。 戦略商品である3次元フラッシュメモリの展開を図るとともに、他社に先駆けて取り組んできた高密度化・大容量化もさらに推進していきます。このような事業拡大を実現するために、同社は、外部資本の導入を検討しており、新たなパートナーとともに力強い成長を目指していきたいと考えています。

職種
【神奈川】先端デバイス技術開発(新規メモリ・次世代メモリのセル設計、デバイス開発等)
応募資格
【必須】
下記いずれかのご経験をお持ちの方
・半導体デバイス開発の経験をお持ちの方
・MOSFETなどデバイス構造・動作に対しての知識を有する方
半導体、電子デバイスなどのデバイス技術開発、製品技術、歩留り改善、量産立上げのご経験

※ロジックLSI、ディスクリートなど、異なる製品の経験者も歓迎
求めるスキル
・自ら主体的に考え行動できる方
勤務地
【関東】神奈川県 横浜市栄区
勤務時間
8:30~17:45
想定給与
400万円~1150万円
※最大年収は通常の提示金額の範囲を示したものです。個別事情により変動する場合があります
待遇/福利厚生
通勤手当、残業手当、時間外勤務手当、退職金、寮・社宅制度、次世代育成手当(18歳未満の扶養対象児童一人あたり15,000円/月)、住宅費補助、企業年金、フレックスタイム制
休日/休暇
土曜・日曜・祝日・その他(夏季、年末年始、GWなど)、有給休暇(5日~18日)※入社月から取得可能 ※年間休日125日
雇用形態
正社員

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